Пост охраны размеры 1,6х1,6х2,5м стальной каркас, метал с полимерным покрытием, снаружи бруски лиственницы. Производство РСТ Красногвардейский, г. Москва.
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла.
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC).
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм.
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации.
Для обучения студентов и проведения научных исследований требуются компактные установки небольших размеров и мощности. Такие установки легко помещаются в любых лабораториях.
Данные установки заменят имеющиеся без необходимости изменения техпроцесса, а применяемые современные комплектующие и материалы позволят увеличить срок службы и упростить обслуживание.
Данная установка обеспечивает непрерывное нахождение изделий в вакууме, а загрузка и выгрузка происходит с помощью отдельно герметизируемых шлюзовых боксов.